- ASML 與 TSMC 正在推動半導體行業向 12 吋光掩膜轉型。
- 高 NA EUV 光刻技術將在先進晶片製造中扮演重要角色。
- 轉向 12 吋格式將提高生產力並降低晶片製造成本。
- 此舉需改變半導體供應鏈，並需全行業合作。
半導體設備巨頭 ASML 與晶片製造商 TSMC 正在推動半導體行業向 12 吋光掩膜轉型，這一較大格式有望提升高 NA EUV 光刻技術在先進晶片製造中的生產效率與成本效益。這兩家公司於 9 月 7 日宣佈了一項全行業的倡議，旨在發展所需的基礎設施，以支持這一轉型。該計劃目標是在 2031 年實現 12 吋光掩膜的試點線，並預計在 2033 年推出 12 吋高 NA 光刻系統進入先進製程生產。
隨著晶片製造商向更小且更複雜的製程節點邁進，高 NA EUV 光刻技術預計將扮演日益重要的角色。TSMC 計劃於 2030 年開始在先進節點的大規模生產中使用 ASML 的高 NA 技術。
高 NA EUV 光刻技術的重要性
當前的挑戰是，高 NA EUV 在初期仍將使用現有的 6 吋光掩膜。轉向 12 吋格式將使製造商在光刻過程中獲得更高的生產力，並減少與日益複雜的晶片圖案製作相關的限制。ASML 與 TSMC 表示，這一轉型最終可能有助於降低晶片製造成本並提升晶圓廠的生產效率。「我們預計高 NA EUV 的採用將隨著器件縮放路線圖而逐步增加，首先使用現有的 6 吋掩膜，然後再進一步支持 12 吋掩膜，這將提高掃描儀的生產力，滿足對更小、更快速及更節能的晶片的需求。」
ASML 總裁兼首席執行官 Christophe Fouquet 表示。
全行業合作的必要性
這一舉措不僅僅是製作更大掩膜的問題，還需要對半導體供應鏈進行全面的改變，包括掩膜製造、檢測以及其他支持技術。因此，ASML 和 TSMC 將這一努力定位為全行業的倡議，而非僅限於這兩家公司。許多主要生態系統夥伴和供應商已表達了參與的興趣。對於 TSMC 而言，這一轉型與先進晶片日益複雜的特性直接相關。隨著製程節點的進步，公司預期會有更多層需要高 NA EUV，特別是隨著晶體管架構變得愈加複雜。
「我們始終相信，當行業共同合作解決複雜問題時，便能解鎖單一公司無法單獨實現的可能性。」TSMC 董事長兼首席執行官魏哲家博士表示。「通過整合行業價值鏈中的專業知識，我們希望能繼續提供尖端技術的好處，通過持續創新降低障礙，並使先進解決方案能夠大規模可及。」所提出的時間表為行業提供了幾年的時間來發展和驗證新的掩膜生態系統。目標是在 2031 年實現試點線，隨後計劃在 2033 年將 12 吋高 NA 光刻系統引入先進節點生產。
隨著晶片製造商尋求生產更強大且更節能的處理器，同時控制先進製造的成本和複雜性，這一轉型可能變得愈加重要。
12 吋光罩轉型的行業影響
隨著晶片技術的進步，12 吋光罩的推廣不僅能提升生產效率，還能降低製造成本，這對於行業來說至關重要。高 NA EUV 光刻技術的採用將幫助製造商應對日益複雜的晶片設計需求。此轉型需要全行業的合作，因為涉及的改變不僅限於 ASML 和 TSMC，還包括供應鏈的各個環節。這樣的合作將促進技術創新，並確保行業能夠在競爭激烈的市場中保持領先地位。