- ASML 与 TSMC 正在推动半导体行业向 12 英寸光掩膜转型。
- 高 NA EUV 光刻技术将在先进芯片制造中扮演重要角色。
- 转向 12 英寸格式将提高生产力并降低芯片制造成本。
- 此举需改变半导体供应链，并需全行业合作。
半导体设备巨头 ASML 与芯片制造商 TSMC 正在推动半导体行业向 12 英寸光掩膜转型，这一较大格式有望提升高 NA EUV 光刻技术在先进芯片制造中的生产效率与成本效益。这两家公司于 9 月 7 日宣布了一项全行业的倡议，旨在发展所需的基础设施，以支持这一转型。该计划目标是在 2031 年实现 12 英寸光掩膜的试点线，并预计在 2033 年推出 12 英寸高 NA 光刻系统进入先进制程生产。
随着芯片制造商向更小且更复杂的制程节点迈进，高 NA EUV 光刻技术预计将扮演日益重要的角色。TSMC 计划于 2030 年开始在先进节点的大规模生产中使用 ASML 的高 NA 技术。
高 NA EUV 光刻技术的重要性
当前的挑战是，高 NA EUV 在初期仍将使用现有的 6 英寸光掩膜。转向 12 英寸格式将使制造商在光刻过程中获得更高的生产效率，并减少与日益复杂的芯片图案制作相关的限制。ASML 与 TSMC 表示，这一转型最终可能有助于降低芯片制造成本并提升晶圆厂的生产效率。“我们预计高 NA EUV 的采用将随着器件缩放路线图而逐步增加，首先使用现有的 6 英寸掩膜，然后再进一步支持 12 英寸掩膜，这将提高扫描仪的生产力，满足对更小、更快速及更节能的芯片的需求。”
ASML 总裁兼首席执行官 Christophe Fouquet 表示。
全行业合作的必要性
这一举措不仅仅是制作更大掩膜的问题，还需要对半导体供应链进行全面改变，包括掩膜制造、检测以及其他支持技术。因此，ASML 和 TSMC 将这一努力定位为全行业的倡议，而不仅仅限于这两家公司。许多主要生态系统合作伙伴和供应商已表达了参与的兴趣。对于 TSMC 而言，这一转型与先进芯片日益复杂的特性直接相关。随着制程节点的进步，公司预期会有更多层需要高 NA EUV，特别是随着晶体管架构变得愈加复杂。
“我们始终相信，当行业共同合作解决复杂问题时，便能解锁单一公司无法单独实现的可能性。”TSMC 董事长兼首席执行官魏哲家博士表示。“通过整合行业价值链中的专业知识，我们希望能继续提供尖端技术的好处，通过持续创新降低障碍，并使先进解决方案能够大规模可及。”所提出的时间表为行业提供了几年的时间来发展和验证新的掩膜生态系统。目标是在 2031 年实现试点线，随后计划在 2033 年将 12 英寸高 NA 光刻系统引入先进节点生产。
随着芯片制造商寻求生产更强大且更节能的处理器，同时控制先进制造的成本和复杂性，这一转型可能变得愈加重要。
12 英寸光罩转型的行业影响
随着芯片技术的进步，12 英寸光罩的推广不仅能提升生产效率，还能降低制造成本，这对于行业来说至关重要。高 NA EUV 光刻技术的采用将帮助制造商应对日益复杂的芯片设计需求。此转型需要全行业合作，因为涉及的改变不仅限于 ASML 和 TSMC，还包括供应链的各个环节。这样的合作将促进技术创新，并确保行业能够在竞争激烈的市场中保持领先地位。