13 ตุลาคม, Samsung Electronics ประกาศว่า บริษัทได้เข้าร่วมงาน “OCP Global Summit 2026” ที่จัดขึ้นที่ซานโฮเซ่ รัฐแคลิฟอร์เนีย สหรัฐอเมริกา ในวันที่ 12 ตามเวลาท้องถิ่น เปิดเผยกลยุทธ์นวัตกรรมโครงสร้างพื้นฐานที่ครอบคลุมหน่วยความจำความถี่สูงรุ่นใหม่ (HBM), เทคโนโลยีขยายหน่วยความจำ และโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลของปัญญาประดิษฐ์ (AI) Samsung ยังร่วมกับ AMD สาธิตเทคโนโลยีขยายหน่วยความจำรุ่นใหม่ และแสดงผลงานความร่วมมือกับ NVIDIA และบริษัท AI ชั้นนำทั่วโลก แสดงให้เห็นว่าบริษัทกำลังขยายขอบเขตความร่วมมือทางเทคโนโลยีจากการจัดหาหน่วยความจำเพียงอย่างเดียวไปสู่ระบบ AI ทั้งระบบ
Samsung Electronics ใน OCP Global Summit แสดงนวัตกรรมเทคโนโลยีหลายประการ
ในงาน OCP Global Summit ครั้งนี้ Samsung Electronics เปิดเผยทิศทางเทคโนโลยี 3 ประการ: ข้อหนึ่งคือ หน่วยความจำประสิทธิภาพสูงรวมถึง HBM5, Custom HBM; ข้อสองคือ เทคโนโลยีขยายหน่วยความจำแบบ Compute Express Link (CXL); ข้อสามคือ เทคโนโลยีจัดเก็บและจัดการข้อมูลด้วย SSD รุ่นใหม่ (SSD) ในขณะเดียวกัน Samsung ร่วมกับ AMD สาธิตโซลูชันขยายหน่วยความจำแบบ CXL และแสดงผล Groq LPU wafer และระบบ NVIDIA Groq 3 LPX เป็นต้น แนะนำผลงานความร่วมมือกับบริษัท AI ชั้นนำทั่วโลก
ผู้จัดการทั่วไปทีม AE แผนกหน่วยความจำ ธุรกิจครึ่งตัวนำ (DS) ของ Samsung Electronics ชม เฮา-จุน ในการพูดในวันนั้นเน้นว่า: “เมื่อโมเดล AI ใหญ่ขึ้น ข้อมูลและความจุ KV cache ที่ต้องประมวลผลในกระบวนการอนุมานเพิ่มขึ้นเรื่อยๆ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพระบบ AI ไม่ใช่แค่แบนด์วิธหน่วยความจำ เทคโนโลยีขยายความจุและจัดการจัดเก็บข้อมูลก็กลายเป็นสิ่งสำคัญยิ่งขึ้น” เพื่อเหตุผลนี้ เขาจึงเสนอกลยุทธ์เทคโนโลยี 3 ทิศทาง ได้แก่ ความเร็ว, ความสามารถในการขยายหน่วยความจำ, และความทนทานของข้อมูล
Samsung Electronics ยังระบุว่า บริษัทกำลังขยับไปข้างหน้าจากการปรับปรุงประสิทธิภาพผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแต่ละชิ้น เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพระบบ AI ทั้งหมดรวมถึงหน่วยประมวลผลกลาง (CPU), หน่วยประมวลผลกราฟิก (GPU), หน่วยความจำ, และที่จัดเก็บข้อมูล ตั้งแต่ช่วงเริ่มต้นการพัฒนา บริษัทขยายความร่วมมือในการออกแบบร่วมและตรวจสอบเทคโนโลยีร่วมกับลูกค้าและพันธมิตรทั่วโลก ในงาน OCP ครั้งนี้ Samsung ร่วมกับ AMD สาธิตโซลูชันขยายหน่วยความจำแบบ CXL เผยโฉมผลงานความร่วมมือทางเทคโนโลยีสำหรับการขยายความจุหน่วยความจำของระบบ AI อย่างยืดหยุ่น
Samsung Electronics มุ่งมั่นเพิ่มประสิทธิภาพโครงสร้างพื้นฐาน AI
เป้าหมายคือในบริบทที่การแพร่กระจายของ AI agent ทำให้ปริมาณข้อมูลที่ต้องประมวลผลและความต้องการหน่วยความจำในกระบวนการอนุมานเพิ่มขึ้น ใช้เทคโนโลยี CXL ชดเชยข้อจำกัดด้านความจุหน่วยความจำของระบบเดิม โดยเฉพาะ Samsung แสดงเทคโนโลยีการรวมหน่วยความจำ (memory pooling) แบบโมดูลหน่วยความจำ DRAM แบบ CXL (CMM-D) ซึ่งช่วยใช้ทรัพยากรหน่วยความจำของระบบหลายระบบได้อย่างมีประสิทธิภาพ และรับประกันความจุหน่วยความจำที่สภาพแวดล้อม AI ต้องการอย่างยืดหยุ่น
Samsung Electronics กล่าวว่า: “การสาธิตร่วมครั้งนี้ได้ตรวจสอบเทคโนโลยีในสภาพแวดล้อมระบบจริงร่วมกับบริษัทแพลตฟอร์มคอมพิวติ้งชั้นนำทั่วโลก และขยายความร่วมมือเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพโครงสร้างพื้นฐาน AI ซึ่งมีความสำคัญมาก” นอกจากนี้ Samsung ดำเนินการ 2 โซนจัดแสดงในงานนี้ ในโซน “Token-based solutions” ที่แนะนำเทคโนโลยีหน่วยความจำ AI ประสิทธิภาพสูง จัดแสดง HBM4E, HBM5, Custom HBM, LPDDR5X-PIM เป็นต้น รวมถึง wafer กระบวนการ 2 นาโนเมตรแบบ Gate-All-Around (GAA), Groq LPU wafer และระบบ NVIDIA Groq 3 LPX
ในโซน “KV cache solutions” นำเสนอแนวทางจัดเก็บและจัดการข้อมูลขนาดใหญ่ที่เกิดจากกระบวนการอนุมาน AI อย่างมีประสิทธิภาพผ่านหน่วยความจำ CXL, SSD ระดับองค์กร และเทคโนโลยีเพิ่มประสิทธิภาพ KV cache
Samsung Electronics ยังเสริมสร้างความร่วมมือในการออกแบบร่วมและตรวจสอบเทคโนโลยีกับลูกค้าทั่วโลก บริษัทผ่าน “Samsung MAX Lab” ตรวจสอบเทคโนโลยีหน่วยความจำและที่จัดเก็บข้อมูลรุ่นใหม่ในสภาพแวดล้อม AI จริง และสะท้อนความต้องการของลูกค้าตั้งแต่ช่วงเริ่มต้นการพัฒนาผลิตภัณฑ์ โดยทำให้องค์กรเฉพาะด้านระบบนิเวศเปิดโลก GOST เป็นศูนย์กลาง มีส่วนร่วมในการพัฒนาซอฟต์แวร์โอเพนซอร์สและกิจกรรมมาตรฐาน化 ขยายขอบเขตความร่วมมือจากฮาร์ดแวร์ไปสู่การเพิ่มประสิทธิภาพซอฟต์แวร์
Samsung Electronics ในปีนี้ได้เปิดเผยเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่อย่าง HBM5 และ zHBM ติดต่อกันในงานใหญ่ระดับโลกอย่าง NVIDIA GTC, Computex, FMS เป็นต้น เพื่อเสริมสร้างความสามารถแข่งขันของครึ่งตัวนำ AI ตามข้อมูลจากสถาบันวิจัยตลาด Counterpoint Research Samsung Electronics ในปีนี้ไตรมาสที่ 2 และไตรมาสที่ 4 ครอบครองส่วนแบ่งตลาด DRAM โลก 39% ตามรายได้ อันดับ 1 ในช่วงเดียวกัน ตลาด NAND Flash ก็รักษาอันดับ 1 ด้วยส่วนแบ่ง 29.3% Samsung Electronics ระบุว่า: “จะยึดฐานเทคโนโลยีและฐานการผลิต เพื่อเสริมสร้างการครอบครองตลาดหน่วยความจำ AI ความมูลค่าสูงอย่าง HBM, DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์, SSD ระดับองค์กร เป็นต้น
”
รายการ รายละเอียด ประเภทหน่วยความจำ HBM5、Custom HBM、LPDDR5X-PIM เทคโนโลยีการจัดเก็บ เทคโนโลยีขยายหน่วยความจำแบบ CXL เทคโนโลยี SSD SSD รุ่นใหม่
ข้อความเปิดเผยข้อได้เปรียบ: บทความนี้มีลิงก์สินค้าพันธมิตร หากคุณซื้อผ่านลิงก์ TechRitual อาจได้รับรายได้ค่าคอมมิชชัน แต่ไม่ส่งผลต่อการประเมินและแนะนำสินค้า รายละเอียดโปรดดูที่ นโยบายความเป็นส่วนตัว。