13 de octubre, Samsung Electronics anunció que la compañía participó el día 12, hora local, en la "Cumbre Global de OCP 2026" celebrada en San José, California, Estados Unidos, y presentó una estrategia de innovación en infraestructura de inteligencia artificial (IA) que abarca memoria de alto ancho de banda (HBM) de próxima generación, tecnología de expansión de memoria y soluciones de almacenamiento. Samsung también realizó una demostración conjunta de tecnología de expansión de memoria de próxima generación con Advanced Micro Devices (AMD) y mostró los resultados de su colaboración con empresas globales de IA como NVIDIA, lo que indica que está ampliando el alcance de su cooperación técnica desde el mero suministro de memoria hasta el sistema de IA en su conjunto.
Samsung Electronics muestra múltiples innovaciones tecnológicas en la Cumbre Global de OCP
En esta Cumbre Global de OCP, Samsung Electronics presentó tres direcciones tecnológicas: primero, memoria de alto rendimiento que incluye HBM5 y HBM personalizado; segundo, tecnología de expansión de memoria basada en Compute Express Link (CXL); tercero, tecnología de almacenamiento y gestión de datos mediante unidades de estado sólido (SSD) de próxima generación. Al mismo tiempo, Samsung y AMD demostraron conjuntamente una solución de expansión de memoria basada en CXL, y exhibieron el wafer LPU de Groq y el sistema Groq 3 LPX de NVIDIA, presentando los resultados de su colaboración con empresas globales de IA.
El vicepresidente del equipo AE del negocio de memoria de la división de semiconductores (DS) de Samsung Electronics, 沈浩俊, enfatizó en su discurso de ese día: "A medida que los modelos de IA se vuelven más grandes, la cantidad de datos que deben procesarse durante la inferencia y la capacidad de la caché KV siguen aumentando; para mejorar el rendimiento del sistema de IA, no solo el ancho de banda de memoria, sino también la expansión de capacidad y la tecnología de gestión de almacenamiento de datos se han vuelto cruciales". Para ello, propuso una estrategia tecnológica en tres grandes direcciones: velocidad, escalabilidad de memoria y persistencia de datos.
Samsung Electronics también indicó que la empresa va más allá de la mejora del rendimiento de productos de memoria individuales, y para optimizar el sistema de IA en su conjunto —unidad central de procesamiento (CPU), unidad de procesamiento gráfico (GPU), memoria, almacenamiento—, está ampliando la cooperación en diseño conjunto y validación técnica con clientes y socios globales desde la fase inicial de desarrollo. En este evento de OCP, Samsung y AMD demostraron conjuntamente una solución de expansión de memoria basada en CXL, revelando los resultados de su cooperación técnica para la expansión flexible de la capacidad de memoria del sistema de IA.
Samsung Electronics se compromete a mejorar el rendimiento de la infraestructura de IA
Su objetivo es, en un contexto donde la difusión de agentes de IA aumenta el volumen de procesamiento de datos y la demanda de memoria durante la inferencia, utilizar la tecnología CXL para compensar las limitaciones de capacidad de memoria de los sistemas existentes. En particular, Samsung mostró una tecnología de agrupación de memoria basada en módulos de memoria DRAM CXL (CMM-D), que permite utilizar eficientemente los recursos de memoria de múltiples sistemas y garantizar de forma flexible la capacidad de memoria requerida por los entornos de IA.
Samsung Electronics declaró: "Esta demostración conjunta tiene un significado importante al validar la tecnología en un entorno de sistema real con empresas globales de plataformas de computación y ampliar la cooperación para mejorar el rendimiento de la infraestructura de IA". Además, Samsung operó dos zonas de exhibición en este evento. En la zona "Solución Tokenizada" que presenta tecnología de memoria de alto rendimiento para IA, se exhibieron HBM4E, HBM5, HBM personalizado, LPDDR5X-PIM, así como wafers de proceso Gate-All-Around (GAA) de 2 nanómetros, wafers LPU de Groq y el sistema Groq 3 LPX de NVIDIA.
En la zona "Solución de caché KV", se presentaron soluciones para almacenar y gestionar eficientemente los datos masivos generados durante la inferencia de IA mediante memoria CXL, SSD empresariales y tecnología de optimización de caché KV.
Samsung Electronics también fortalece la cooperación en diseño conjunto y validación técnica con clientes globales. La empresa valida tecnología de memoria y almacenamiento de próxima generación en entornos de IA reales a través de "Samsung MAX Lab" y refleja las necesidades de los clientes desde la fase inicial de desarrollo de productos. Al mismo tiempo, centrada en la organización dedicada al ecosistema abierto global GOST, participa en desarrollo de software de código abierto y actividades de estandarización, ampliando el alcance de la cooperación desde el hardware hasta la optimización de software.
Samsung Electronics ha presentado sucesivamente tecnologías de memoria de próxima generación como HBM5 y zHBM en los principales eventos globales de este año, como GTC de NVIDIA, Computex y FMS, esforzándose por fortalecer la competitividad de semiconductores para IA. Según datos de la firma de investigación de mercado Counterpoint Research, Samsung Electronics ocupó el primer lugar con una cuota del 39 % en el mercado global de DRAM por ingresos en el segundo y cuarto trimestre de este año; en el mismo período, el mercado de memoria flash NAND también mantuvo el primer lugar con una cuota del 29.3 %. Samsung Electronics declaró: "Basándonos en nuestra capacidad tecnológica y base de producción, fortaleceremos la ofensiva en el mercado de memoria de alto valor añadido para IA, como HBM, DDR5 para servidores y SSD empresariales.
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Ítem Especificación Tipo de memoria HBM5, HBM personalizado, LPDDR5X-PIM Tecnología de almacenamiento Tecnología de expansión de memoria basada en CXL Tecnología de unidad de estado sólido SSD de próxima generación
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