13 أكتوبر، Samsung Electronics أعلنت أن الشركة شاركت في 12 أكتوبر بالتوقيت المحلي في "قمة OCP العالمية 2026" التي عقدت في سان خوسيه، كاليفورنيا، الولايات المتحدة، وكشفت عن استراتيجية الابتكار في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي (AI) التي تغطي ذاكرة الوصول العشوائي عالية النطاق من الجيل التالي (HBM)، وتقنيات توسيع الذاكرة، وحلول التخزين.Samsung كما عرضت بالتعاون مع شركة Advanced Micro Devices (AMD) الأمريكية تقنية توسيع الذاكرة من الجيل التالي، وعرضت نتائج التعاون مع شركات الذكاء الاصطناعي العالمية مثل NVIDIA، مما يشير إلى توسيع نطاق تعاونها التقني من مجرد توريد الذاكرة إلى أنظمة الذكاء الاصطناعي ككل.
Samsung Electronics تعرض ابتكارات تقنية متعددة في قمة OCP العالمية
في قمة OCP العالمية هذه، كشفت Samsung Electronics عن ثلاثة اتجاهات تقنية: أولاً، الذاكرة عالية الأداء بما في ذلك HBM5 وHBM المخصصة؛ ثانياً، تقنية توسيع الذاكرة القائمة على Compute Express Link (CXL)؛ ثالثاً، تقنيات تخزين وإدارة البيانات باستخدام محركات الحالة الصلبة من الجيل التالي (SSD). في الوقت نفسه، عرضت Samsung بالتعاون مع AMD حل توسيع الذاكرة القائم على CXL، وعرضت رقاقة Groq LPU ونظام NVIDIA Groq 3 LPX، مقدمة نتائج التعاون مع شركات الذكاء الاصطناعي العالمية.
أكد شيم هو-جون، نائب رئيس فريق AE في قسم أعمال الذاكرة في قسم أشباه الموصلات (DS) في Samsung Electronics، في كلمته في ذلك اليوم: "مع تضخم نماذج الذكاء الاصطناعي، تزداد كمية البيانات وسعة ذاكرة التخزين المؤقت KV التي يجب معالجتها أثناء الاستدلال باستمرار، ولتحسين أداء أنظمة الذكاء الاصطناعي، لم تعد عرض نطاق الذاكرة فحسب، بل أصبحت تقنيات توسيع السعة وإدارة تخزين البيانات أيضاً بالغة الأهمية." لهذا، طرح استراتيجية تقنية في ثلاثة اتجاهات: السرعة، وقابلية توسيع الذاكرة، واستمرارية البيانات.
أوضحت Samsung Electronics أيضاً أن الشركة تتجاوز تحسين أداء منتجات الذاكرة الفردية، ولتحسين أنظمة الذكاء الاصطناعي ككل بما في ذلك وحدات المعالجة المركزية (CPU)، ووحدات معالجة الرسومات (GPU)، والذاكرة، والتخزين، فإنها توسع التعاون في التصميم المشترك والتحقق التقني مع العملاء والشركاء العالميين منذ المراحل المبكرة من التطوير. في فعالية OCP هذه، عرضت Samsung بالتعاون مع AMD حل توسيع الذاكرة القائم على CXL، كاشفة عن نتائج التعاون التقني لتوسيع سعة ذاكرة أنظمة الذكاء الاصطناعي بمرونة.
Samsung Electronics تلتزم بتعزيز أداء البنية التحتية للذكاء الاصطناعي
تهدف إلى تعويض قيود سعة الذاكرة في الأنظمة الحالية باستخدام تقنية CXL، في سياق زيادة كمية معالجة البيانات ومتطلبات الذاكرة في عملية الاستدلال بسبب انتشار وكلاء الذكاء الاصطناعي. على وجه الخصوص، عرضت Samsung تقنية تجميع الذاكرة القائمة على وحدة ذاكرة CXL DRAM (CMM-D)، والتي تتيح الاستخدام الفعال لموارد الذاكرة لأنظمة متعددة، مما يضمن بمرونة سعة الذاكرة المطلوبة لبيئات الذكاء الاصطناعي.
صرحت Samsung Electronics: "للتحقق التقني المشترك في بيئة نظام حقيقية مع شركات منصات الحوسبة العالمية هذه المرة، وتوسيع التعاون لتحسين أداء البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، أهمية كبيرة." بالإضافة إلى ذلك، أدارت Samsung جناحين في هذه الفعالية. في جناح "الحلول المميزة" الذي يقدم تقنيات ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالية الأداء، عرضت HBM4E، HBM5، HBM المخصصة، LPDDR5X-PIM، بالإضافة إلى رقاقة عملية بوابة محيطة (GAA) بدقة 2 نانومتر، ورقاقة Groq LPU، ونظام NVIDIA Groq 3 LPX.
في جناح "حلول ذاكرة التخزين المؤقت KV"، قدمت حلولاً لتخزين وإدارة كميات هائلة من البيانات الناتجة أثناء استدلال الذكاء الاصطناعي بكفاءة، من خلال ذاكرة CXL، ومحركات SSD للمؤسسات، وتقنيات تحسين ذاكرة التخزين المؤقت KV.
كما عززت Samsung Electronics التعاون في التصميم المشترك والتحقق التقني مع العملاء العالميين. تتحقق الشركة من تقنيات الذاكرة والتخزين من الجيل التالي في بيئات ذكاء اصطناعي حقيقية من خلال "MMAX Lab" التابع لـ Samsung، وتعكس متطلبات العملاء منذ المراحل المبكرة من تطوير المنتجات. في الوقت نفسه، تركز على منظمة النظام البيئي المفتوح العالمي GOST، وتشارك في تطوير البرمجيات مفتوحة المصدر وأنشطة التوحيد القياسي، موسعة نطاق التعاون من الأجهزة إلى تحسين البرمجيات.
كشفت Samsung Electronics هذا العام على التوالي عن تقنيات ذاكرة الجيل التالي مثل HBM5 وzHBM في الفعاليات العالمية الرئيسية مثل NVIDIA GTC، وComputex، وFMS، ساعية لتعزيز تنافسية أشباه الموصلات للذكاء الاصطناعي. وفقاً لبيانات مؤسسة أبحاث السوق Counterpoint Research، احتلت Samsung Electronics المركز الأول بحصة 39% في سوق DRAM العالمي في الربعين الثاني والرابع من هذا العام على أساس الإيرادات؛ وفي نفس الفترة، حافظت على المركز الأول في سوق ذاكرة NAND الفلاشية بحصة 29.3%. صرحت Samsung Electronics: "سنعزز استهداف سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالية القيمة المضافة مثل HBM، وDDR5 للخوادم، وSSD للمؤسسات، بناءً على القدرات التقنية وقاعدة الإنتاج.
"
البند المواصفات نوع الذاكرة HBM5، HBM المخصصة، LPDDR5X-PIM تقنية التخزين تقنية توسيع الذاكرة القائمة على CXL تقنية محركات الحالة الصلبة SSD من الجيل التالي
إفصاح عن المصلحة: تحتوي هذه المقالة على روابط منتجات شركاء، وإذا قمت بالشراء من خلال الروابط، فقد تحصل TechRitual على دخل عمولة، لكن ذلك لا يؤثر على تقييم المنتجات وتوصياتها. للتفاصيل يرجى الرجوع إلى سياسة الخصوصية.