- 美國國防部提供高達 15 億美元貸款予 Wolfspeed 擴展先進晶片生產。
- 融資將支持碳化矽及氮化鎵半導體技術的開發與製造。
- Wolfspeed 計劃開發輻射抗性 SiC 產品以應對防禦需求。
- 該融資與美國擴大國內半導體製造的政策相一致。
美國國防部已向半導體製造商 Wolfspeed 提供高達 15 億美元的有條件融資,以擴大國內生產用於無人機、雷達、電子戰及導彈防禦系統的先進晶片。這項為期 30 年的擬議貸款是透過國防部的戰略資本辦公室(OSC)宣佈的,將支持碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體技術的開發與製造。這些材料在高性能電源系統和射頻電子設備中具有重要應用。總部位於北卡羅來納州的該公司計劃利用該融資來升級其 GaN 製造能力,以支持下一代通信和電子戰系統的需求。
該公司還旨在開發輻射抗性版本的現有 SiC 產品以及未來的 GaN 裝置,以應對高要求的防禦和航空航天應用。輻射硬化技術有助於保護電子元件免受輻射引起的損壞或故障,特別重要於在惡劣環境中運作的衞星、太空船及軍事系統。 先進晶片加強國防 與傳統的矽半導體不同,SiC 和 GaN 是寬帶隙材料,能夠在苛刻的電氣條件下運行。它們特別適用於需要高功率、高效能能量轉換及高頻率性能的系統。
Wolfspeed 的技術發展計劃
碳化矽能夠處理高電壓和高溫,同時減少能量損失,使其在電源電子產品中具有廣泛應用。氮化鎵則適合於高頻應用,包括通信設備、雷達和電子戰系統。根據國防部的說法,這項擬議的融資將加強國內對於用於推進系統、定向能武器、無人機、雷達和導彈防禦的半導體材料的獲取。該公司還計劃推進 GaN-on-SiC 晶圓技術,將氮化鎵的高頻性能與碳化矽的散熱能力結合,這使得該技術對於強大的雷達、通信及電子戰系統十分有用。
Wolfspeed 首席執行官羅伯特·費爾爾(Robert Feurle)表示:「SiC 和 GaN 在國家安全方面具有關鍵應用。透過這筆融資,公司將能夠不僅繼續服務國防部,還能擴大其能力,以造福美國的整體國家安全。」 擬議的融資將支持 Wolfspeed 在美國境內的多年度製造和技術開發計劃。該公司在北卡羅來納州、紐約和阿肯色州均設有設施。協議還包括潛在的股權組件。
融資結構及條件
Wolfspeed 將發行認股權證,允許國防部購買該公司高達 7.5% 的完全稀釋股權,認股權證的發行將按照貸款分期撥款的比例進行。這項融資以高級擔保貸款方式結構,允許 Wolfspeed 逐步提取資金,而非一次性獲得整筆金額。擬議的投資與特朗普政府擴大國內半導體製造及減少對海外供應鏈在戰略重要技術方面的依賴的努力相一致。然而,Wolfspeed 表示,該交易仍需經過大量的盡職調查、政府授權、最終協議及其他結束條件。
該公司警告說,並無保證貸款會最終確定或最終提供任何資金。
國防需求推動半導體技術發展
美國國防部的融資計劃顯示出對國內半導體產業的重視,特別是在無人機和電子戰等高科技防禦領域。碳化矽和氮化鎵材料的發展不僅能提升國防能力,還能減少對外部供應鏈的依賴,這在當前全球供應鏈不穩定的背景下尤為重要。此外,Wolfspeed 的計劃也反映出政府對於技術創新和國家安全的長期投資意圖,這可能會進一步促進美國在半導體領域的競爭力。

