- Departemen Pertahanan AS menyediakan pinjaman hingga 15 miliar dolar AS kepada Wolfspeed untuk memperluas produksi chip canggih.
- Pembiayaan akan mendukung pengembangan dan manufaktur teknologi semikonduktor karbida silikon (SiC) dan nitrida galium (GaN).
- Wolfspeed berencana mengembangkan produk SiC tahan radiasi untuk memenuhi kebutuhan pertahanan.
- Pembiayaan ini selaras dengan kebijakan AS memperluas manufaktur semikonduktor domestik.
Perusahaan tersebut juga bertujuan mengembangkan versi tahan radiasi dari produk SiC yang sudah ada serta perangkat GaN masa depan, untuk memenuhi aplikasi pertahanan dan antariksa yang menuntut standar tinggi. Teknologi pengerasan radiasi membantu melindungi komponen elektronik dari kerusakan atau kegagalan yang disebabkan radiasi, yang sangat penting bagi satelit, pesawat antariksa, dan sistem militer yang beroperasi di lingkungan keras. Chip canggih memperkuat pertahanan Berbeda dengan semikonduktor silikon konvensional, SiC dan GaN adalah material bandgap lebar yang mampu beroperasi di bawah kondisi listrik yang ekstrem. Material ini sangat cocok untuk sistem yang memerlukan daya tinggi, konversi energi berkinerja tinggi, dan performa frekuensi tinggi.
Rencana Pengembangan Teknologi Wolfspeed
Karbida silikon mampu menangani tegangan dan suhu tinggi sambil mengurangi kerugian energi, sehingga memiliki aplikasi luas dalam elektronik daya. Nitrida galium cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi, termasuk perangkat komunikasi, radar, dan sistem perang elektronik. Menurut Departemen Pertahanan, pembiayaan yang dicadangkan ini akan memperkuat akses domestik terhadap material semikonduktor untuk sistem propulsi, senjata energi terarah, drone, radar, dan pertahanan rudal. Perusahaan tersebut juga berencana memajukan teknologi wafer GaN-on-SiC, yang menggabungkan performa frekuensi tinggi nitrida galium dengan kemampuan pendinginan karbida silikon, menjadikan teknologi ini sangat berguna untuk radar, komunikasi, dan sistem perang elektronik yang canggih.
CEO Wolfspeed, Robert Feurle, menyatakan: "SiC dan GaN memiliki aplikasi kritis bagi keamanan nasional. Melalui pembiayaan ini, perusahaan akan mampu tidak hanya terus melayani Departemen Pertahanan, tetapi juga memperluas kemampuannya demi kepentingan keamanan nasional AS secara keseluruhan." Pembiayaan yang dicadangkan akan mendukung rencana manufaktur dan pengembangan teknologi multi-tahun Wolfspeed di dalam AS. Perusahaan tersebut memiliki fasilitas di Carolina Utara, New York, dan Arkansas. Kesepakatan juga mencakup potensial komponen ekuitas.Struktur dan Ketentuan Pembiayaan
Wolfspeed akan menerbitkan warrant yang memungkinkan Departemen Pertahanan membeli hingga 7,5% ekuitas fully diluted perusahaan, dengan penerbitan warrant sebanding dengan proporsi pencairan pinjaman bertahap. Pembiayaan ini terstruktur sebagai pinjaman senior terjamin, memungkinkan Wolfspeed menarik dana secara bertahap, bukan sekaligus seluruh jumlah. Investasi yang dicadangkan selaras dengan upaya administrasi Trump memperluas manufaktur semikonduktor domestik dan mengurangi ketergantungan pada rantai pasokan luar negeri untuk teknologi yang strategis penting. Namun, Wolfspeed menyatakan bahwa transaksi ini masih memerlukan due diligence yang ekstensif, otorisasi pemerintah, kesepakatan final, dan kondisi penutupan lainnya.
Perusahaan memperingatkan bahwa tidak ada jaminan pinjaman akan difinalisasi atau dana akan disediakan.
Kebutuhan Pertahanan Mendorong Pengembangan Teknologi Semikonduktor
Rencana pembiayaan Departemen Pertahanan AS menunjukkan penekanan pada industri semikonduktor domestik, terutama di bidang pertahanan high-tech seperti drone dan perang elektronik. Pengembangan material karbida silikon dan nitrida galium tidak hanya meningkatkan kemampuan pertahanan, tetapi juga mengurangi ketergantungan pada rantai pasokan eksternal, yang sangat penting mengingat ketidakstabilan rantai pasokan global saat ini. Selain itu, rencana Wolfspeed juga mencerminkan niat pemerintah untuk investasi jangka panjang dalam inovasi teknologi dan keamanan nasional, yang kemungkinan akan lebih mendorong daya saing AS di bidang semikonduktor.

