Samsung La división de foundry de Samsung Electronics está lanzando soluciones personalizadas para responder a las tres necesidades más valoradas por los clientes fabless al elegir un fabricante de chips —competitividad de proceso, velocidad de desarrollo e infraestructura preparada—, con el objetivo de garantizar el liderazgo en el ecosistema de semiconductores de inteligencia artificial (IA). El 15 de septiembre, Samsung Kim Nak-shin, responsable del grupo SAFE-IP de la división de foundry de Samsung Electronics, presentó la estrategia de personalización y los principales casos de éxito de clientes durante el «IP-SoC Day Korea 2026».
Cabe señalar que IP-SoC Day es una conferencia organizada por Design&Reuse (D&R), operador del mercado de activos de diseño de semiconductores (IP), y se celebra anualmente en Corea, Estados Unidos, China y Europa, entre otros países. Kim Nak-shin explicó que, con el cambio de paradigma impulsado por la IA, la velocidad de lanzamiento de productos se está acelerando y los clientes se enfrentan a la necesidad de fabricar nuevos chips en el plazo de un año. Para ello, Samsung Foundry está garantizando el liderazgo de su ecosistema mediante soluciones personalizadas que respaldan plenamente las tres necesidades clave de los clientes.
Samsung Foundry lanza soluciones personalizadas para satisfacer las necesidades de los clientes
Samsung Foundry señaló que sus soluciones personalizadas ya se han traducido en resultados concretos en el mercado y compartió tres casos de éxito de clientes principales. El primero corresponde a una empresa nacional representativa de aceleradores de IA, que integró varios die, como memoria de alto ancho de banda (HBM) y un procesador de red neuronal (NPU), en un producto multichip sobre un interposer de silicio, utilizando el proceso Samsung 4nm. Con el respaldo de una solución integral de integridad de potencia y señal (PI/SI), se optimizó la eficiencia energética y actualmente se encuentra en producción en masa. Se presume que la empresa es Rebellions.
El segundo caso es el del acelerador LPU de gran tamaño de Groq, con un área de chip enorme, que integra más de 4 GB de SRAM personalizada en un die de gran tamaño superior a 700 ㎟, al tiempo que garantiza un rendimiento estable y resuelve los retos de fabricación. Gracias a la puesta en marcha de IP de interfaces de alta velocidad y a técnicas de redundancia lógica, se logró asegurar tanto el rendimiento como los objetivos de potencia, rendimiento y área (PPA). El protagonista de este caso parece ser Groq, empresa adquirida por Nvidia.
El tercer caso involucra un chip automotriz de 2nm que lidera la próxima generación del mercado de conducción autónoma, cuyo ciclo de desarrollo se redujo de los habituales 2 a 3 años a 9 meses. Mediante el despliegue completo de soluciones de migración de diseño, análisis PPA desde etapas tempranas y una plataforma de automatización basada en IA y aprendizaje automático, se logró un tape-out ultrarrápido. Se presume que la empresa es la estadounidense Tesla.
Ítem Especificación Proceso 4nm Capacidad SRAM Más de 4GB Ciclo de desarrollo 9 meses
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