Samsung Electronics ha anunciado recientemente su estrategia de próxima generación de memoria y almacenamiento para la infraestructura de inteligencia artificial, con el objetivo de mejorar aún más el rendimiento general de los sistemas de IA. En la OCP Global Summit celebrada en San Francisco, Estados Unidos, Samsung delineó tres direcciones tecnológicas clave: memoria de alto rendimiento, tecnología de expansión de almacenamiento basada en Compute Express Link (CXL) y soluciones de almacenamiento y gestión de datos que aprovechan las nuevas unidades de estado sólido (SSD). Estas tres vías apuntan respectivamente a la velocidad de la propia memoria, la expansión lateral de la capacidad de memoria y la organización y el acceso a los datos en la capa de almacenamiento, constituyendo la visión global de Samsung para la próxima fase de la infraestructura de IA.
Según Samsung, el vicepresidente y responsable del equipo de ingeniería de aplicaciones, Shim Ho-jun, pronunció una charla en la cumbre. Señaló que, a medida que los modelos de IA crecen en tamaño, aumenta simultáneamente la cantidad de datos necesarios para la inferencia y la demanda de caché de clave-valor (KV). En la mejora del rendimiento de los sistemas de IA, además del ancho de banda de memoria, la expansión de la capacidad de memoria y la tecnología de almacenamiento de datos se vuelven cada vez más importantes. En otras palabras, solo aumentar el ancho de banda ya no basta; la capacidad del sistema para albergar y gestionar eficientemente esos datos se está convirtiendo en el nuevo cuello de botella.
Samsung se compromete a optimizar el diseño y la validación técnica de los sistemas de IA
Shim Ho-jun añadió que Samsung está dedicado, desde la fase inicial de desarrollo, a reforzar la co-diseño y la validación técnica con clientes y socios globales para optimizar el conjunto del sistema de IA. Esto significa que Samsung quiere adelantar el punto de colaboración, definiendo la dirección del diseño junto con los socios del ecosistema antes de que la solución tome forma, en lugar de esperar a que el producto madure para luego adaptarlo.
Como parte de la demostración en esta cumbre, Samsung planea mostrar junto con AMD una solución de expansión de memoria basada en CXL, para hacer frente a las limitaciones de capacidad de memoria de los sistemas actuales. CXL es un estándar abierto orientado a la interconexión de alta velocidad, que permite establecer conexiones más flexibles entre procesadores, memoria y dispositivos de almacenamiento, ampliando así la capacidad de memoria disponible sin depender únicamente de los zócalos de la placa base. Para los clústeres de inferencia de IA en rápida expansión, el valor de este tipo de soluciones radica en que ofrecen una vía para seguir aumentando la capacidad de carga del sistema más allá del ancho de banda.
Elemento Especificación Capacidad de memoria Memoria de alto rendimiento Tecnología de almacenamiento Basada en Compute Express Link (CXL)
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