Según informes de medios surcoreanos, se ha desarrollado con éxito una nueva generación de memoria de cambio de fase para inteligencia artificial que puede controlar el calor durante el proceso de almacenamiento y computación, reduciendo el consumo de energía hasta en un 76% en comparación con los niveles actuales. La memoria de cambio de fase utiliza las diferencias de resistencia de un material en sus estados cristalino y amorfo para almacenar información. Pertenece a la categoría de memoria no volátil y se caracteriza por su alta velocidad de operación y la capacidad de almacenar múltiples informaciones en una sola unidad. Está siendo considerada como la próxima solución de almacenamiento en los campos de la inteligencia artificial y la computación en memoria.
El 11 de septiembre, la Fundación Nacional de Investigación de Corea anunció que el equipo del profesor Kim Geon-su, del Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica de la Universidad de Corea, ha logrado desarrollar una "memoria de cambio de fase de estructura heterogénea de doble aislamiento". Mediante la combinación de dos materiales con propiedades distintas, el equipo ha logrado controlar gradualmente la difusión del calor y la región de cambio de fase dentro de la memoria. Este logro ha sido publicado en línea en la revista académica internacional "International Journal of Extreme Manufacturing".
Nueva tecnología de memoria de cambio de fase reduce significativamente el consumo de energía
Con el aumento exponencial de los datos generados por la inteligencia artificial generativa y los modelos de lenguaje de gran escala, la memoria de cambio de fase está recibiendo una atención considerable como tecnología alternativa a los sistemas de almacenamiento actuales. Sin embargo, la memoria de cambio de fase tradicional enfrenta un problema inherente: el calor generado durante la escritura de datos se propaga a las áreas circundantes, lo que resulta en un desperdicio de energía y una dificultad para controlar con precisión la región de cambio de fase. Además, los materiales con bajo voltaje de accionamiento suelen tener poca resistencia al calor, mientras que los materiales resistentes al calor requieren un alto voltaje de accionamiento, lo que crea una contradicción difícil de resolver.
El equipo de investigación ha introducido una nueva estructura que dispone simultáneamente dos compuestos de calcogenuro de metal de transición, NiTe₂ y MoTe₂, que pueden mantener su estado cristalino durante la operación. El NiTe₂ actúa como una capa de conducción de calor, generando y transfiriendo calor de manera eficiente incluso a bajos voltajes; mientras que el MoTe₂ actúa como una capa de bloqueo de calor, inhibiendo la difusión del calor hacia el exterior. Gracias a este diseño, el equipo ha podido planificar de manera autónoma la ruta del flujo de calor dentro de la memoria, logrando un control preciso sobre la ubicación y el alcance del cambio de fase.
Los resultados experimentales indican que esta estructura permite diseñar rutas de flujo de calor dentro de la memoria según sea necesario, reduciendo el consumo de energía en un 76% en comparación con los métodos actuales, al tiempo que aumenta la durabilidad del dispositivo (es decir, el número de ciclos de accionamiento) en un 110%.
Proyecto Especificación Reducción del consumo de energía 76% Mejora de la durabilidad 110%