Keysight Technologies 與 WIN Semiconductors 推出新工作流程 助力氮化鎵晶片設計成功率提升

重點
  • Keysight 與 WIN Semiconductors 推出聯合設計工作流程,提升氮化鎵晶片成功率。
  • 新流程自動化了模擬和驗證步驟,幫助設計師識別潛在問題。
  • 該工作流程連接 Keysight 設計軟件與 WIN 最新的 GaN 工藝設計套件。
  • 市場對 GaN 射頻設備的需求持續增長,推動設計週期縮短。

Keysight Technologies 與 WIN Semiconductors 聯手推出一個聯合設計工作流程,旨在幫助氮化鎵 (GaN) 單片微波集成電路 (MMIC) 開發者在首次嘗試中成功製造芯片,從而減少昂貴的重新設計和延誤。這個整合的工作流程結合了芯片內部模擬、3D 佈局驗證及芯片外部評估板設計於一個單一環境中。該流程專為開發用於 5G 基礎設施、Wi-Fi 接入點、衞星有效載荷及防禦雷達系統的 GaN MMIC 的公司設計。

一次失敗的設計提交可能會使項目延遲數週,因為工程師需要修改設計並重新提交給半導體代工廠。新的工作流程自動化了製造前的模擬、優化和驗證步驟,幫助設計師在開發過程中更早識別潛在問題。

新工作流程的自動化優勢

這些公司表示,該工作流程將 Keysight 的設計軟件與 WIN Semiconductors 最新的 NP 120P GaN 工藝設計套件 (PDK) 連接起來,使工程師可以在發送製造之前驗證芯片設計。MMIC 設計師在製造後還面臨另一個挑戰:證明芯片在實際評估板上安裝時的性能符合預期。新的工作流程允許工程師共同設計和優化芯片、封裝、印刷電路板 (PCB) 及測試連接器。

根據這些公司,這提供了在客户評估硬件之前對真實系統性能更好的理解。

此公告正值 GaN 射頻設備的需求在通信、航空航天及國防市場持續增長。這些公司引用的預測顯示,全球 GaN 射頻設備市場到 2031 年可能達到 27.7 億美元,這進一步增加了芯片開發者縮短設計週期和避免製造錯誤的壓力。WIN 的 NP 120P GaN PDK 提供了 Keysight 的高級設計系統 (ADS) 和 RF 電路模擬專業版內的製程模型和佈局規則,使設計師能夠在統一的設計環境中完成驗證。

WIN Semiconductors 設計服務總監 Richard Kuo 表示:「我們很高興能與 Keysight 合作,提供一個定製的 LVS 解決方案,並整合在 WIN ADS PDK 內。通過結合 Keysight 的 ADS 專業知識與 WIN 的強大 PDK 及先進工藝技術,我們提供了一個全面的驗證解決方案,簡化了客户的設計流程並提升了高級 RF 產品的市場上市速度及可靠性。」

減少對單獨工具的需求

這個整合的工作流程旨在減少對單獨軟件工具的需求,通過將芯片設計與評估板開發連接於一個過程中,使工程師能夠在承諾製造之前優化芯片內部及外部組件。

Keysight 的設計工程軟件部總經理 Nilesh Kamdar 表示:「WIN 完整的 PDK 結合 Keysight 的模擬和驗證工具,為設計師提供了一條從芯片設計到評估板的單一路徑。設計公司現在可以在製造之前證明整個系統性能,讓他們的客户有信心進行投資。」這些公司表示,該工作流程旨在提高設計效率,同時幫助客户降低風險,加快 GaN 基射頻產品在通信、衞星及國防應用的交付速度。

項目規格
處理器NP 120P GaN
連接性5G, Wi-Fi

新流程如何影響氮化鎵晶片市場

隨著對氮化鎵射頻設備的需求上升,設計週期的縮短變得至關重要。新推出的工作流程不僅提高了設計的成功率,還能幫助設計師在早期識別問題,減少重新設計的時間和成本。這對於面對日益競爭的市場環境的芯片開發者來說,無疑是一個重要的進步。整合的設計環境也意味著設計與評估的流程更加高效,能夠加快產品的市場推出速度,這對於滿足客戶需求至關重要。

本文由 The Base Principle 編譯自以下英文報道,內容經翻譯及整理,事實與數據以原文為準。
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Henderson 是 The Base Principle 的編輯,負責 AI 與工程科技報道的選題與編輯,並監督本站的自動化編譯流程。關注範圍包括大型語言模型、半導體與運算、太空與能源工程。

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