中國啟動 2.1 億美元鑽石半導體項目以推進先進晶片材料發展

中國已啟動一項價值 2.1 億美元(約 HK$163.8 億)的項目,旨在建立該國首個第四代半導體材料的綜合產業鏈,此舉旨在擴展其在先進晶片材料方面的能力,超越其主導的合成鑽石行業。該生產基地將在河南省鄭州高科技區建立,該區於 6 月 26 日與中科粉末研究(河南)超硬材料有限公司簽署了投資協議。該公司在中南大學的支持下,計劃在整個價值鏈中建立製造,包括鑽石化學氣相沉積(CVD)設備、單晶生長、外延、微納加工及先進包裝基板。

這個項目也反映了中國在對先進電子材料需求日益增長的背景下,加強國內半導體供應鏈的廣泛推動。

中國首個第四代半導體材料產業鏈項目啟動

雖然矽仍然是主導的晶片材料,但研究人員越來越多地探索鑽石及其他超寬帶隙材料,以應用於需要更高功率處理、更快散熱和在極端環境下運行的情況,這些環境下傳統半導體面臨性能限制。該項目總投資為人民幣 15 億元(約 HK$16.38 億),預計將幫助河南將其成熟的超硬材料行業擴展至高端半導體製造。

第四代半導體基於如鑽石和氧化鎵等超寬帶隙材料。與傳統半導體材料相比,它們提供更寬的帶隙、更高的擊穿電場和優越的熱導率,適用於高功率和高温應用。根據公告,這些材料可支持人工智能晶片、電子熱管理、5G 和 6G 通信、電動車及生物醫學技術。新的生產基地將運用該公司的專有 LPPHT 微納鑽石技術,支持半導體材料的大規模生產。

計劃安裝 500 套微波等離子化學氣相沉積(MPCVD)系統,能夠生產 2 吋至 4 吋的單晶鑽石晶圓。該設施還將包括 50 條專門用於生產用於先進材料應用的球形微納鑽石粉末的生產線。根據項目的路線圖,首批 200 套 MPCVD 系統預計將於 2026 年底投入運行。當全線生產後,該設施預計在三年內產生年產值約人民幣 30 億元(約 HK$42 億)。在簽約儀式上,公司董事長陳澤民表示:「該基地的建設將推動微納鑽石從實驗室走向大規模工業化。」

他補充説,該項目將具備使用 500 套 MPCVD 機器和 50 條 LPPHT 生產線生產 2 吋至 4 吋單晶晶圓的能力。該生產基地將與早前在鄭州高科技區成立的「中南大學-中國科學院粉末研究第四代半導體材料研發中心」協同工作。根據公告,這一綜合努力旨在創建一個涵蓋「基礎研究—技術突破—技術轉移—大規模生產」的創新管道。河南已經是全球最大的合成鑽石生產中心之一,通過擴展至半導體級鑽石材料,該省正尋求從工業鑽石製造轉向更高價值的電子材料。

項目規格
總投資人民幣 15 億元 (約 HK$16.38 億)
MPCVD 系統數量500 套
生產晶圓尺寸2 吋至 4 吋

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Henderson 是 The Base Principle 的編輯,專注報道 AI 模型與工程科技前沿。

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