- Navitas 與 Magnachip 建立戰略合作夥伴關係，推動 SiC 技術應用。
- Magnachip 將授權 Navitas 的 GeneSiC 技術進入高壓市場。
- 兩家公司計劃在 Magnachip 的製造設施進行技術驗證及內部化。
- 合作夥伴關係旨在加速高壓和超高壓 SiC 技術的採用。
Navitas Semiconductor 與 Magnachip Semiconductor Corporation 宣佈建立戰略合作夥伴關係，以加速矽碳化物 (SiC) 技術在高壓 (HV) 及超高壓 (UHV) 電力市場的採用。根據新聞稿，Magnachip 將授權 Navitas 的 GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) 技術，以進入 HV 和 UHV SiC 市場。
該授權涵蓋 1200 V、2300 V、3300 V 及更高電壓的 GeneSiC 技術，使 Magnachip 能夠基於 Navitas 的成熟 SiC 裝置平台開發下一代電力轉換應用。Navitas 將為 Magnachip 提供 SiC 供應鏈及材料的接入，支持其更快進入市場。兩家公司計劃在 Magnachip 位於韓國的製造設施內進行技術的移植、驗證及內部化。
Magnachip 獲授權進入高壓市場
這種方法預期能加速 Magnachip 進入 SiC 市場，同時保持與 Navitas 已建立的技術和材料基礎的連續性。
根據新聞稿，授權的技術預期將支持下一代應用，包括能源及電網基礎設施、能源儲存、工業電氣化、汽車及其他高功率系統。SiC 技術直接影響電動車、可再生能源、人工智能數據中心和航空航天，然而，兩家公司之間的協議範圍遠不止於此。
Navitas Semiconductor Corporation 是下一代氮化鎵 (GaN) 和 GeneSiC 矽碳化物 (SiC) 電力半導體的行業領導者，與設計及製造類比和混合信號電力半導體平台解決方案的 Magnachip Semiconductor Corporation 聯手合作。兩家公司在新聞稿中指出，合作夥伴關係的具體範圍「預計將在稍後詳細説明並公佈」。
Navitas 的總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 表示：「這一與 Magnachip 的戰略合作夥伴關係反映了我們擴大 GeneSiC 在高壓和超高壓電力市場的採用的長期願景。透過授權我們成熟的 GeneSiC 技術並支持 Magnachip 利用我們的供應鏈和材料生態系統，我們正在創造一條更快速擴展先進 SiC 解決方案的道路，同時促進兩家公司之間更深入的長期合作。」
Magnachip 的首席執行官 Chae Lee 表示：「這一協議為 Magnachip 在高壓和超高壓 SiC 領域開啟了一個重要的新市場機會。GeneSiC 技術的加入補充了我們現有的 MOSFET 和電力半導體產品組合，使 Magnachip 能夠滿足需要更高效率、更高電壓能力和更可靠電力轉換解決方案的客户需求。」
Navitas Semiconductor 表示，它是下一代電力半導體的領導者，尤其是在氮化鎵 (GaN) 和高壓矽碳化物 (SiC) 技術方面，推動著人工智能數據中心、高性能計算、能源和電網基礎設施及工業電氣化的創新。Magnachip Semiconductor Corporation 則表示，它設計和製造類比和混合信號電力半導體平台解決方案，適用於包括工業、汽車、通信、消費及計算等多種應用。
合作夥伴關係的主要目標
這一合作夥伴關係旨在加速高壓和超高壓矽碳化物技術的採用。通過授權 GeneSiC 技術、接入 Navitas 的 SiC 供應鏈及材料生態系統，以及計劃在 Magnachip 韓製設施進行技術驗證，兩家公司預期將支持涵蓋多個高功率市場的下一代電力轉換應用。
兩家公司總結表示，授權的技術預期將支持下一代應用，包括能源及電網基礎設施、能源儲存、工業電氣化、汽車及其他高功率系統。
這項合作如何影響 SiC 技術的發展
Navitas 和 Magnachip 的合作標誌著高壓和超高壓電力市場的一個重要進展。透過授權 GeneSiC 技術，Magnachip 能夠迅速進入 SiC 市場，這對於滿足日益增長的電力需求至關重要。SiC 技術在電動車和可再生能源等領域的應用日益增長，這次合作不僅能推動技術創新，還能強化兩家公司在半導體市場的競爭力。這一戰略夥伴關係有望為未來的電力轉換應用帶來更高的效率和可靠性。