美國國防部正在對 BAE 系統投資 1,600 萬美元，以恢復國內生產用於導彈、太空及戰略防禦系統的耐輻射微電子元件。這筆資金通過《國防生產法》(DPA) 第三條款計劃撥出，旨在加強該國的防禦供應鏈。此次投資將協助 BAE 系統擴大耐輻射微電子元件（即 RHMs）的生產能力，這些元件設計用以在高輻射環境中持續運作。這類晶片對於必須在惡劣條件下可靠運作的航天器、衞星、導彈系統及其他軍事平台至關重要。
該項目的重要部分是恢復 BAE 系統的 RH45 Storefront，這是一個基於設計耐輻射 45 納米矽基技術的可信製造平台。一旦運作，這個平台將允許國防客户設計並製造自己定製的耐輻射晶片，並使用合格的生產流程。該資金支持國防部更廣泛的努力，旨在重建美國境內的關鍵工業能力，同時減少對脆弱供應鏈的依賴，特別是在戰略技術方面。
美國國防部加強耐輻射微電子元件的生產能力
國防部工業基礎政策助理秘書 Michael Cadenazzi 表示：“耐輻射微電子元件對於國防部的導彈、太空及戰略系統至關重要。這個項目確保國防部能獲得合格的產品。”與常規半導體不同，耐輻射晶片經過工程設計，能抵禦可能幹擾或永久損壞電子元件的輻射。這些晶片通常用於軍事衞星、戰略武器及在地球保護大氣層之外運行的航天器。
來自空間及其他高能環境的輻射可能會損壞數據或永久損壞常規電子元件，而耐輻射晶片則被設計成抵抗這些影響，使其對於長期太空任務、軍事衞星及可靠性至關重要的戰略防禦系統不可或缺。恢復的 RH45 Storefront 將作為一個集中製造中心，政府機構及防務承包商可以在此訪問標準流程技術、開發資源及製造服務，以構建應用專用集成電路及標準半導體產品。
國防部表示，這項投資將有助於創建、維護及擴大這些專用元件的國內生產能力，同時改善長期的供應鏈韌性。代理助理國防部長 Jeffrey Frankston 表示：“這一努力確保了 45 納米矽基技術在國防部系統中的可用性。這提供了成本避免，使得項目不必重新設計和重新驗證其系統。”維持現有的可信製造流程也使得防務項目能夠繼續使用經過驗證的晶片設計，而無需進行昂貴的重新設計或冗長的認證工作，這樣可以縮短部署時間，同時降低未來武器和太空系統的成本。
這項 1,600 萬美元的獎勵是國防部自 2026 財政年度開始以來公佈的五項 DPA 第三條款投資之一。這些項目的總額達到 1.026 億美元，重點是加強美國防務工業基礎的關鍵領域。最新的投資反映出持續努力確保國內生產被認為對國家安全至關重要的先進半導體技術，特別是在國防及太空應用中對韌性電子產品的需求日益增長。